从器件结构的角度来看，薄膜附着力影响因素靠近栅极的偏移侧壁的宽度尺寸可以通过LDD相对于栅极的位置，或者LDD掺杂与栅极底部之间的距离来控制，如下: 增加。控制栅漏重叠容量 (CGDO)。 ） 目标。然后后主墙（MAINSPACER）变得高度集中由于源区和漏区是嵌入的，因此可以保留LDD区，同时形成
