扫描电镜显示，实验室如何对薄膜电晕处理刻蚀过程中采用SiO2作为硬掩模材料形成图形，H2气体电晕刻蚀的nm厚Cu膜明显形成台阶状结构，Cu膜下的Si衬底裸露。与氩气电晕刻蚀工艺相比，刻蚀后Cu膜的损失不明显。这表明，与Ar气体电晕刻蚀依靠物理轰击Cu薄膜不同，H2气体电晕刻蚀主要依靠化学刻蚀，反应过
