此外，薄膜电晕处理后显微镜照片采用四探针法测试处理前后ITO样品的耐阻滞性。发现电晕处理可以降低ITO电极的阻塞电阻，有利于器件性能的提高。综上所述，氧电晕表面处理不仅降低了ITO的块电阻，而且在不改变ITO薄膜晶体结构和光学透过率的前提下，改善了ITO表面的化学组成和功函数，从而优化了ITO阳极的
