如果进一步缩小图形，等离子体蚀刻的各向异性效果会更加明显，甚至可能出现图形故障。刻蚀后切割工艺的光刻图案是一条完美的直线，下氮化没有切割。用等离子清洗机蚀刻下电极的接触孔后，需要增加氮化硅的切割工艺。等离子表面处理机。这种方法至少需要两个掩码。这具有成本高、光刻工艺窗口大、对底部电极触点沿字线方向的
