目前的行业共识是使用锗作为 PMOS，磷化层附着力使用磷化铟作为纳米 NMOS。对于III-V族化合物，IMEC（微电子研究中心，成员包括英特尔公司、IBM公司、台积电公司、三星公司等半导体行业巨头）在300mm（22nm）晶圆上进行等离子刻蚀，早就宣布成功。用于开发 FinFET 复合半导体的磷化
