等离子 F 蚀刻硅广泛用于制造半导体器件。蚀刻反应的三个步骤是：化学吸附：F2 → F2 (ads) → 2F (ads)反应：Si + 4F (ads)) → SiF4 (ads)解吸：SiF4 (ads) → SiF4 (gas)在刻蚀工艺中，甘肃真空等离子处理机速率高密度等离子源具有很多优点，
