另外，溅射镀膜附着力大LCD-COG模块的粘合密封性也得到了改善，这是因为基片和裸片表面润湿性得到改善，从而降低了线蚀。此外，物理过程不同于离子对刻蚀基板表面的轰击和溅射刻蚀。这里的物理轰击主要是破坏化学键和晶格序列，加速反应物的脱附，从而促进化学反应过程面非挥发性产物的去除。基底偏置给ICP提供了
