非晶碳化硅、热气相沉积和熔融涂层技术制备的0薄膜、氢化非晶碳化硅6-SiC：反应直流磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积薄膜制备的H薄膜、硅掺杂金刚石线等离子体。它就像在清洁器中通过等离子体增强化学气相沉积制备的碳膜。这些薄膜的制备通常需要使用更高的沉积温度或更高的后处理温度。例如，温州等离子处理器专
