高能电子衍射(RHEED分析发现等离子处理后的SiC表面比传统湿法处理的SiC表面更加平整，河北等离子设备结构而且处理后表面出现了(1x1)结构。等离子表面处理器氢处理可以有效除去表面的碳污染，暴露在空气中30分钟后，发现经等离子处理的SiC表面氧的含量能明显低于传统湿法清洗的表面，经等离子表面处理
