从现有的蚀刻原理及经验分析，氩气等离子体氧等离子体中掺人氩等离子体既保证了化学蚀刻的强度也可通过较高的偏压加速，利用较重的氩气等离子体轰击石墨烯，保证对相对较厚的石墨烯薄膜进行物理攻击，达到蚀刻目的，但显然要清除残留物，物理蚀刻作用就不大了，而且会对下层的薄膜产生轰击、损伤。也就是说要用低的偏压的氧
