它可用于增加引线键合强度。清洗时间不宜过长。如果清洗时间过长，引线框架plasma蚀刻设备Si 3N4 钝化层中的颗粒会出现针状和纤维状的不良影响[4]。因此，选择 ArH2 的混合物。射频功率范围200～400W，时间180～600秒，流量50～150tor·s-1。如表 1 所示，我们使用 DO
