同样地，山西粉末等离子清洗机代理当多晶硅在蚀刻后出现比较严重的底部长脚时，底部的偏置侧墙也会在PSR蚀刻中受到更多的消耗，从而导致在后续的硅锗外延中，在多晶硅底部生长出硅锗缺陷。当硬掩膜的有效高度不够时，顶部的多晶硅也会生长出硅锗缺陷，因此控制FinFET的多晶硅中的蚀刻的剖面形貌尤为重要。如果您有
