经等离子体处理后CIs的高能端尾巴消失，山西在线式等离子清洗机厂家同时我们发现未经等离子体处理的SiC表面Cls峰相对与等离子体后的Cls迁移了0.4ev， 这是由于表面存在C/C-H化合物造成的。未经过等离子体处理的Si-C/Si-O谱峰强度之比(面积之比)为0.87。经过处理的Si-C/Si-O
