键合良好、键合牢固的芯片耐压强度可达到3-5巴的耐压值。PDMS键合的关键是材料表面污染、等离子体清洗室污染、等离子体稳定性和均匀性、等离子体刻蚀深度和热焙烧工艺。PDMS键合等离子体法有三个主要参数:射频功率、改性时间、氧气流量。对金莱科技的JL-SVM-03型等离子键合机进行PDMS键合参数优化