这是因为等离子清洗机设备蚀刻后处理工艺需要一个干净的硅界面来进行湿法蚀刻，实验型真空等离子设备哪里找以形成的西格玛型硅沟槽。这种深度的差异，可以通过在蚀刻气体中引人了Cl2。与其他气体(如HBr)相比，氯与硅形成的副产物具有更好的气化性，能够有效地减少蚀刻副产物的沉积，达到改善蚀刻负载的效果。实验证
