因此，如何提高磷化膜附着力硅在后5nm等离子体刻蚀工艺中的替代材料长期以来一直受到商业巨头和研究机构的关注。目前，III-V族化合物半导体、石墨烯、碳纳米管需求较高。目前业界普遍的观点是在PMOS中使用锗，在纳米NMOS中使用磷化铟。其实，磷化膜附着力有多强第三代半导体是从射频器件材料的角度对半导体
