另外，外延片清洗仪由于3D 3D鳍片的存在，上下多晶硅栅的刻蚀环境不同，所以为了形成理想的多晶硅栅轮廓，通常采用等离子表面处理设备的刻蚀工艺。用过的。软着陆步骤分为几个步骤，以达到优化多晶硅外形的目标。由于源极和漏极外延直接形成在鳍片上，这意味着在 FinFET 多晶硅蚀刻中鳍片的损失不如平面衬底硅
