这也反映了二氧化硅是 TEOS 的产物，南京苏曼等离子体电源说明书在光谱方面被等离子体降解。发现二氧化硅的生长速率随着输入功率的增加而增加。由于它们具有极好的相似性，在实际制造中，膜生长速率的变化可以通过光谱中 SI 和 CH 特征峰的强度变化，以及沉积膜时工艺参数的变化来确定。 .提高膜的质量以获
