在低温等离子体表面处理器的射频电源产生热运动的作用下，刻蚀玻璃的原理带负电荷的自由电子由于质量小、运动速度快而快速到达阴极。而正离子由于质量大、速度慢，不能同时到达阴极，从而在阴极附近形成一个负离子鞘。在鞘层的加速作用下，低温等离子体表面处理器的正离子垂直轰击硅表面，加速了硅表面的化学反应和反应产物
