此外，亲水性的比较增加LEP沉积前ITO的功函数可以大大提高向有机层的电荷转移。像素储罐的边缘结构表面需要控制，以避免喷墨分配后LEP溢出到相邻像素。在这种情况下，储罐的边缘需要不潮湿，或疏水。这个任务的困难在于ITO必须变成亲水的，而储罐的边缘必须变成疏水的。使用等离子体的表面工程可以很容易地克服
