氮化硅薄膜已被用于制造新型功能性、多功能、高可靠性器件、等离子体表面处理，亲水性和渗水性有没有关系其特性在很大程度上取决于薄膜的生产条件。等离子体增强化学气象沉积(PECVD)具有沉积温度低(& LT;400℃)，沉积膜的针孔密度小，均匀性好，台阶覆盖好。PECVD氮化硅薄膜技术已广泛应用于半导体器
