湿法腐蚀的缺点是难以控制化学容器中的颗粒缺陷。等离子体设备干法刻蚀采用线圈耦合高密度等离子体设备，蚀刻机的作用重质聚合物气体等离子体刻蚀雕刻氮化硅侧壁。重聚合物气体主要包括CH2F2和CH3F，用一定量的O2控制气体，以达到蚀刻亚硝酸盐硅和停止硅化的目的。活跃的等离子体具有双重效应的物理轰击和化学反
