等离子体造成的这些缺陷在TDDB测试时都会成为电荷陷阱，uv喷漆附着力其在应力作用下诱捕电荷，造成电介质表面势垒降低，从而加速电介质击穿。 Nichols等的研究表明，经过ECR等离子体处理或VUV照射的low-k材料，其在各个电场强度下的TDDB失效时间明显缩短。 氢氟酸对low-k材料SiCOH
