等离子蚀刻对PID的影响：等离子诱导损伤（PID）是指集成电路制造中MOSFET器件上的各种等离子工艺损坏导致的器件性能偏差。在等离子环境中，对pet膜有特殊的附着力放电产生大量离子和电子，这些离子和电子在电极电位和等离子的自偏压作用下加速，向晶片表面移动，物理冲击基板，推动表面。化学反应。这些离子
