首先通过第一次曝光和蚀刻，p20真空氮化形成一条长线条的图形，俗称P1。然后做第二次曝光工艺，一般采用硅底部的增透层夹层结构工艺，即先用旋涂工艺沉积较低的一层，然后旋转中层含有硅底面的增透层;旋转光敏电阻的曝光过程和切割孔。通过蚀刻工艺切割多晶硅栅格通常被称为P2。这种双显卡技术有效地避免了原显卡技
