超低温蚀刻工艺所需要的硬件设置与普通的等离子表面处理机感应耦合等离子体(ICP）蚀刻装置非常类似，logo滴胶工艺附着力只是需要加装液氦或者液氮冷却装置，使得硅晶圆衬底温度降低至- ℃，在使用SF和O2作为等离子体气体源的前提下，深硅沟槽或者高深宽比的硅结构也可以由电子回旋共振(Electron C
