其中，hf蚀刻玻璃原理表面处理是直接键合的关键因素，处理效果直接影响键合能否发生以及键合后的界面效果，因为污染物可能吸附在晶圆表面、晶圆表面粗糙度等都会造成键合空洞，从而不同程度地影响晶圆表面的力学和电学性能。目前碳化硅的表面处理方法主要有传统的湿法处理、高温退火和等离子体处理。传统的湿洗处理是从硅
