上下电极(BE、金属C、金属D）和电阻层均为逻辑后台工艺所用材料；电阻层中的HfO2和TiN、Ti、W电极材料是逻辑工艺中常见的材料，cpp附着力促进剂不存在交叉污染问题。目前RIE/ICP仍广泛应用于RRM的刻蚀。存在存储单元蚀刻截面倾斜、蚀刻后金属电极侧面腐蚀严重等问题。后续的工艺优化（功率脉冲
