早期采用CCl2F2气体进行刻蚀，ccp刻蚀机和RIE刻蚀但由于选择比和等离子体对底层膜的损伤，提出了CHF3+BCl3和CF4+BCl3两种组合气体等离子体刻蚀方案。从效果上看，两种方案都能实现较快的InAlAs刻蚀速率和较高的选择性，且更容易在低电压、高射频功率下实现。对于两种相似材料，刻蚀速率
