即相变存储器在01之间切换。这两种状态可以通过利用电流的焦耳热效应加热相变材料来快速切换和循环。逻辑后端工艺的高温决定了相变材料的初始状态多为晶相（低电阻）。向非晶相的转变需要非常短的时间，bopp亚薄膜达因值以使非常大的电流脉冲通过下部电极触点（BOTTOM ELECTRODE CONTACT，B
