碳纳米管可以提高单位面积上的集成的晶体管数量(如2.5 D、3 D堆叠方案,目前在NAND闪存,DRAM,如存储产品对于许多应用程序,但是对于集成电路芯片,问题是热坏的),在未来甚至可能有一个光子计算、量子计算,如反转计算机出现摩尔定律。。等离子体蚀刻对EM的影响:应力传递(SM)和低k TDDB:
