碳化硅的加工方法有电化学腐蚀、机械加工、超声波加工、激光刻蚀、等离子刻蚀等。在等离子体发生器中，IC蚀刻有化学离子刻蚀(RIE)、电子器件回旋共振(ECR)和电感耦合等离子体(ICP)。ICP蚀刻器件具有选择性强、结构简单、操作方便、易于控制等优点，被广泛应用于SiC蚀刻领域。ICP蚀刻工艺主要用于
