工程上一般用低浓度氯氟酸(DHF)处理等离子体刻蚀的SiCOH，ICPplasma表面清洗机通过观察碳耗尽层的厚度来表征等离子体对SiCOH的损伤程度。IBM提出的P4(Post-Porosition Plasmal Protection）方法可以有效地减少等离子体刻蚀过程中多孔低k材料的损伤。在不
