该方法仍在讨论中，IC等离子清洗机器需要更多来自行业的实验数据来验证。等离子刻蚀对LOW-K TDDB的影响主要体现在两个方面。一个是蚀刻过程中等离子体造成的 LOW-K 损伤，另一个是蚀刻定义的图案尺寸和均匀性。 LOW-K材料SICOH沉积后，材料分子的网络结构稳定且排列规则，但蚀刻工艺打断了这
