偏置侧壁过窄会导致高重叠电容，CCPplasma表面清洗设备恶化短沟道效应；偏置侧壁过宽，重叠电容小，会引起驱动电流下降。同时，时延会随着偏置侧壁宽度的增加而减小，但达到一定规模后会恶化。因此，偏置侧壁的宽度应仔细优化，以确保优良的器件性能。在90nm以前的工艺中，等离子体清洗设备电容耦合等离子体(
