蚀刻气体，CCP等离子刻蚀机主要是 O2，通常用于实现足够高的还原率。在循环蚀刻过程中，SiO2 和 Si3N4 被同时蚀刻并停止在下面的 SiO2 表面。需要一般分为SiO2蚀刻（相对低选择性）步骤和Si3N4蚀刻。这需要对 SiO2 有更高的选择性才能在下面的 SiO2 表面停止。通常，SiO2
