利用等离子等离子体处理技术对硅材料进行等离子刻蚀的研究；硅刻蚀技术广泛应用于微电子技术中，附着力评级报告如：器件隔离沟槽或高密度垂直电容制作MEMS等。目前单晶硅的蚀刻方法主要有两种：一种是湿法蚀刻。湿法蚀刻由于其自身的局限性，如使用大量有毒化学物质、操作不安全、因膨胀导致附着力差而造成侧向穿透和钻
