与之相伴随的接触孔蚀刻技术的发展，附着力的自喷漆65nm/55nm 技术节点之前均为光刻胶掩膜的氧化硅材料蚀刻，90nm时的接触孔蚀刻的步骤顺序为先去除光阻再蚀刻开接触孔停止层，而65nm/55nm时使用先蚀刻开接触孔停止层去除光阻的步骤顺序。由于90nm和65nm/55nm器件对关键尺寸的要求，基
