等离子体表面处理器；多晶硅栅刻蚀；当CMOS工艺扩展到65nm及以下时，附着力最好的图案等离子体表面处理器栅的刻蚀制作面临诸多挑战。作为控制沟道长度的关键技术，多晶硅栅的图形与器件性能密切相关。摩尔定律将黄光图案技术从248nm波长光源技术推向193nm波长光源技术。这一转变在2012年成功实现了3
