在蚀刻和金属阻挡溅射沉积过程中，金属底漆哪一种附着力最强LOW-K 也会受到等离子损伤。这也是 LOW-KTDDB 独有的。比如后端介质间距比同节点的栅氧化层厚很多，但是高科技节点栅氧化层只有2NM左右，后端介质间距达到35NM左右。一个潜在可能。然而，由于材料特性和工艺的复杂性，LOW-K分解的挑
