在正台阶高度，蚀刻铜电路板原理经过等离子表面处理机的多晶硅栅刻蚀主刻蚀步骤后，浅沟槽隔离区的多晶硅栅侧壁明显比有源区倾斜，特征尺寸有源。大于面积。等离子表面处理器的主要蚀刻步骤中使用的气体也产生较少的聚合物副产物。 , 尚不能在浅沟槽隔离区形成。垂直栅极侧壁以及该侧壁之间的差异一直保持到所有蚀刻完成
