1959年，美国电晕处理机品牌美国贝尔实验室的Martin Atalla和Dawon Kahng研制出第一个绝缘栅场效应晶体管(FET)。他们的成功因素是通过控制&ldquo；表面状态；电场可以渗透到半导体材料中。在研究热生长氧化硅层的过程中，他们发现在金属层(M)、氧化层（O绝缘）和硅层（S半导体
