等离子刻蚀对low-k TDDB的影响：在先进的技术节点，纳米亲水性涂料后端金属层的介电间距减少到小于纳米，引入低 k 材料以减少 RC 延迟显着降低了机械性能。介电性能和缺陷增加，而这些不利因素增加了金属互连之间随着时间的推移介电击穿的严重问题。前面提到过栅氧化层TDDB的问题，但是low-k T
