使用 SiH4 + N2O [或 Si (OC2H4) + O2] 创建 SiOxHy。气压为1-5 Torr（1Torr≈133Pa），福建等离子机场跑道除胶机速率电源为13.5MHz。 SiH4 + SiH3 + N2 用于氮化硅沉积。温度为300℃，沉积速率约为180埃/分钟。无定形碳化硅膜由
