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二、等离子刻蚀在等离子体蚀刻过程中,附着力小阻力大通过对气体的处理将蚀刻气体转变为气相(例如,当使用氟气蚀刻硅时)。用真空泵将处理气体和基底抽出,表面不断覆盖新鲜的处理气体。不想被腐蚀的部分要用材料覆盖(如半导体工业中的铬)。还可利用等离子体腐蚀塑料表面,使填料被氧灰化,同时进行分布分析。在塑料印刷
低温等离子体可将气体分子解离或分解为化学活性成分,真空等离子表面处理机操作与衬底固体表面反应生成挥发性物质,再由真空泵抽走。通常有四种材料必须蚀刻:硅(杂化硅或非杂化硅)、电介质(如SiO2或SiN)、金属(通常是铝和铜)和光刻胶。每种材料的化学性质不同。低温等离子体刻蚀是一种各向异性刻蚀工艺,可以
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