大型不对称布局和需要蚀刻的物体被放置在面积较小的电极上。在等离子刻蚀操作过程中，极耳等离子体刻蚀设备高频电源产生的热运动使带负电荷的自由电子质量小，移动速度快，迅速到达阴极，正离子由质量引起。由于体积大、速度慢、难以同时到达阴极，在阴极附近形成带负电的鞘层。该鞘的加速导致阳离子与表面碰撞。拉直硅片会
