产生从衬底到栅极的 FN 电流的 MIMO 栅极氧化层会损坏栅极氧化层。 Advanced Technology 节点中使用的 HKMG 技术对 PID 提出了重大挑战。等离子体伪栅极去除工艺需要基于 NF3/H2 气体的长期过刻蚀，提高pi膜附着力以完全去除角落中的电介质，但等离子体直接在高 k
