与AR气体等离子刻蚀工艺相比，表面活化英文怎么说刻蚀后的CU膜损失不明显。这与AR气体等离子刻蚀不同，AR气体等离子刻蚀依赖于对CU薄膜的物理影响，H2气体等离子刻蚀主要依赖于化学刻蚀，反应过程中形成氢化铜，以及CU-CU的金属键。摧毁。降低反应电位。由氢化铜很容易从反应室的材料和表面上去除。使用
