因此，硅油附着力促进硅沟槽等离子清洗设备干法刻蚀后灰化工艺的选择非常重要。灰化工艺不仅去除了残留的光刻胶，而且获得了纯硅表面，用于硅锗的外延生长。灰化工艺包括氧化灰化、低氢混合气体（含氢4%的氮氢混合气体）灰化、高氢混合气体（含氢量>20%）灰化。低氢混合气体灰化工艺可以有效减少光刻胶的残留和刻蚀副
