等离子体刻蚀对PID的影响；等离子体诱导损伤(PID)是指在集成电路制造过程中，刻蚀工程师怎么样由于各种等离子体工艺对MOSFET器件造成的损伤，导致器件性能偏差。在等离子体环境中，由于放电产生了大量的离子和电子。离子在电极电位或等离子体自偏压的作用下加速向晶片表面移动，对衬底产生物理轰击，促进表面
